濕法刻蝕專用系統(tǒng)
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CHEMIXX E 30 濕法刻蝕系統(tǒng)專門用于掩膜版與晶圓的刻蝕與清洗,安全性能好,可使用 H2SO4, H2O2,NH4OH,HF,BOE等液體。
更新時間:2022-11-25 17:32:29
n產(chǎn)品簡介
CHEMIXX E 30 濕法刻蝕系統(tǒng)專門用于掩膜版與晶圓的刻蝕與清洗,安全性能好,可使用 H2SO4, H2O2,NH4OH,HF,BOE等液體。
n產(chǎn)品特色
÷ 人工裝卸半自動化系統(tǒng)
÷ 掩膜版尺寸(方形襯底)高達 230 x 230 毫米/9 x 9 英寸
÷ 晶圓尺寸高達 300 毫米(?12 英寸)
÷ 耐腐蝕工藝室
÷ 兩個自動輸送臂,用于化學刻蝕及清洗
÷ 輸送臂最大6路管路
÷ 提供多種噴嘴
÷ 低接觸或定制夾頭
÷ 化學液具有加熱選項:20 - 80°C
÷ 腔室沖洗噴嘴系統(tǒng)
÷ 去離子水的 BSR(背面沖洗)噴嘴
÷ 工藝室外的手動去離子水槍
÷ 最大的集成3個化學試劑容器罐(每個 10 升),具有化學液自動排放系統(tǒng)
÷ 不同化學品的外部化學試劑容器罐可選(H2SO4、H2O2、NH4OH、HF、BOE)
÷ 手動灌裝或通過批量灌裝系統(tǒng)
÷ 清洗模組可選用化學液,噪聲,PVA刷洗,高壓等離子水沖洗
÷ 支持SCES/GEM 通訊協(xié)議
n技術數(shù)據(jù)
÷ 襯底尺寸: 最大可達 230 x 230 mm (9″x 9″) 或 ? 300mm (?12″)
÷ 電機轉(zhuǎn)速: 最大 4.000 rpm, 步長 1 rpm
÷ 電機加速: 最大 5.000 rpm/s, 步長 1 rpm/s
÷ 步進時間: 1 至 999.9 秒,步長 0.1 s
÷ 工藝腔材料: PP (可選 PVDF)
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